KREMNIYNING FOTOELEKTRIK XUSUSIYATLARI: ASOSIY TUSHUNCHALAR VA AMALIY QO‘LLANMALAR
Abstract
Energiya ishlab chiqarish va energiya saqlash tizimlarining kombinatsiyasi yuqori energiya zichligidagi energiya manbalariga tobora ortib borayotgan talabni qondirish uchun yakuniy yechimdir. Mazkur maqolada kremniyning fotoelektrik jihatlari, ularning fizik asoslari va amaliyotdagi ahamiyati haqida to‘xtalamiz.
References
1. Zakari M. Stochustic model of plusma waves for a zimple band stucture in semiconductors. Phys Rev B. 1998- 57,в.19 с.12145-12150. Стохостическая модель плазменных волн для данной структуры полупроводников. Прикладная физика, 2020, № 5. стр.80- 85.
2. Прохьпенко В.Г. Повышение точности и стабильности ВАХ полупроводниковых источников отрицательного сопротивления. Микроэлектроника 1998,27.в.5.ст370-375.
3. Володин Н.М., Смертенко П.С., Федоренко Л.Л., Ханова А.В. Особенности ВАХ длинных полупроводниковых структур на сверхвысоких уровня двойной инжекции. ФТП.1998.т.32.№12. с.1476-1481.
4. Sah C.T., Walker T.W. Thermally stimulated capacitance for shallow majority-carries traps in the edqe reqion of semiconductor junctions. Appl.Phys. Letters. 1973,v.22,N8,P.384-385
5. Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (A.F. Ioffe)
6. Quyosh energiyasi texnologiyalari jurnallari
